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商品說明






創見 4GB DDR3 Memory 204Pin SO-DIMM DDR3-1600 Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號: TS512MSK64W6H

小型機殼和輕薄筆電通常意味著擁擠的零件與有限的散熱空間。創見DDR3低電壓SO-DIMM記憶體使用1.35V超低額定電壓，不僅能減少熱能產生，還能降低整體能源消耗，是輕薄低功耗的mini-ITX系統與薄型省電筆記型電腦的最佳選擇。

DDR3為新一代記憶體規格，相較於DDR2之4位元預取緩衝架構，DDR3的8位元預取緩衝架構可提供更快的傳輸速率及更大的傳輸頻寬；搭配雙核心或四核心的處理器，能大幅提昇電腦系統的整體效能。此外，DDR3記憶體模組的工作電壓為1.5 伏特，相對於需要1.8伏特電壓的DDR2模組而言，能有效減低20%至30%的耗電量，並確保高速運算時的系統穩定度及效能。創見桌上型電腦專用的 DDR3-1066及DDR3-1333記憶體模組，目前分別推出 1GB及2GB兩種容量，消費者可依需求選購。

創見 DDR3-1066及DDR3-1333桌上型電腦專用之盒裝記憶體模組採新式Fly-by電路架構設計，可使DRAM與控制器 (Controller)間的訊號傳輸更有效率；支援ODT（On-DIMM Termination）技術，可降低高速運作時記憶體訊號的回授，提高記憶體時脈的極限值。此外，其在佈線路徑、走線長度及電氣特性方面，均完全符合 JEDEC（the Joint Electron Device Engineering Council）的嚴格規範，可適用於嚴苛的工作環境，並避免雜訊干擾；搭載原廠128Mx8之FBGA記憶體晶片，可提供絕佳的電氣特性及散熱性，大幅提昇系統的整體效能。

產品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
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終身保固









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商品規格

記憶體類型： DDR3 Memory
針腳及模組： 204Pin SO-DIMM
頻率： DDR3-1600
功能： Unbuffer Non-ECC Memory
容量： 4GB
顆粒： 512Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)
電壓： 1.35 V
ＣＬ值： 11



資料來源：創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同，以實際商品顏色為準
※以上規格資料若有任何錯誤，以原廠所公佈資料為準。

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